华为、哈工大联手发布金刚石芯片专利，培育钻石涨16%

发布时间：

2023-12-14

11月21日消息，据企查查显示，近日，华为技术有限公司、哈尔滨工业大学申请的“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利公布。

 

专利摘要显示，本发明涉及芯片制造技术领域。

该方法包括：制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理；将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中，清洗后吹干；

 

在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液，将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合，得到预键合芯片；将预键合芯片进行热压键合，退火处理，得到混合键合样品对。

 

本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。据悉，该专利于2023年10月27日申请公布。受此影响，培育钻石概念涨幅已超16%。

一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法

1

制备硅基Cu/SiO混合键合样品和金刚石基Cu/SiO混合键合样品；

2

分别对所述硅基Cu/SiO混合键合样品和所述金刚石基Cu/SiO混合键合样品进行等离子体活化处理；

3

将经等离子体活化处理后的所述硅基Cu/SiO混合键合样品和所述金刚石基Cu/SiO混合键合样品浸泡于有机酸溶液中，进行有机酸湿法活化，清洗后吹干；

4

在吹干后的所述硅基Cu/SiO混合键合样品和/或所述金刚石基Cu/SiO混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液，将所述硅基Cu/SiO混合键合样品和所述金刚石基Cu/SiO混合键合样品对准贴合进行预键合，得到预键合芯片；

5

将所述预键合芯片进行热压键合，退火处理，得到混合键合样品对。

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